6.05.028 Alterung von MOSFETs
Projektleitung: Prof. Dr. F. Keil
Projektbearbeitung: Dipl.-Math. Denis Chaykin
Laufzeit: 3 Jahre
Finanzierung: TUHH
Publikationen: 137
In diesem Projekt wird die Alterung von sehr dünnen Si-Schichten in MOSFETS mittels Lösung für Elektronen in Gittern beschrieben. Es wird eine Monte-Carlo-Methode zur Lösung der Boltzmann-Gleichung verwendet. Der Elektronenstrom soll auch mit DFT-Methoden bestimmt werden.